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- 用途：用溅镀方式在样品表面沉积数微米以下的薄膜，可制备包括各种金属、半导体、铁磁材料,以及绝缘的氧化物、陶瓷等物质。
- 主要规格：可依序进行6个靶材的溅镀；同时进行2个靶材的溅镀；可溅镀范围4英寸以内；真空度8×10 -8torr，厚度均匀性误差<±5%，溅镀数微米以下的。
- 适用晶片尺寸：样品尺寸不能大于6英寸；
- 可溅镀的材料：金属类Al、Cu、Gr、Co、Fe、Ni、Pt、Ag、Ti、Ta；合金类NiFe、CoFe、CoFeB、NiMn、FeMn、TbFeCo；氧化物类MgO等。
晶片尺寸：≤6英寸
真空度：10⁻⁸ Torr
厚度均匀性误差：<5%
溅镀厚度：0-300 nm
溅镀材料：Al、Cu、Gr、Co、Fe、Ni、Pt、Ag、TiO₂、NiFe和NiMn等
尺寸：170 cm130 cm180 cm
用溅镀方式在样品表面沉积数微米以下的薄膜，可制备包括各种金属、半导体、铁磁材料，以及绝缘的氧化物、陶瓷等物质。
溅镀膜厚测试
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